管式炉

晶圆退火炉


晶圆退火炉

工艺应用:可以在真空、气氛、大气等不同环境下加热样品。主要应用真空 / 保护气氛环境下对硅、SiC、GaN 等晶圆做精准控温热处理,修复晶格损伤、激活掺杂离子、释放薄膜应力,也可用于多种材料的硅化、扩散、结晶、致密化等。

最高温度:≤1200℃

工作温度:≤1100℃

真空度:可选

温度均匀性:

温控精度:±1℃

可通气氛:可选

可编程段:

压升率:

可选型号:单温区/多温区退回炉,真空/气氛退火炉

材质:炉管-石英

气路通道:

在线咨询客服18137195607

产品简介

管式晶圆退火炉属于半导体热处理设备,依靠石英炉管 + 电阻辐射加热,将晶圆放置在石英舟内送入密闭炉管,通入氮气、氩气等保护气体,也可实现负压环境;炉体分区加热,缓慢升温并长时间恒温,通过热作用修复离子注入造成的晶格损伤、激活掺杂杂质,同时完成薄膜致密化、应力释放、热氧化等工艺。广泛用于功率半导体、MEMS、第三代半导体以及成熟制程芯片产线与实验室研发。


应用领域

优势特点
  • 温场均匀性高,工艺稳定性好
  • 洁净性能好,污染可控
  • 工艺兼容性高
  • 多层安全防护功能

多区独立控温,恒温区间长,整片晶圆、片与片之间温差小,退火一致性高,良率可控

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采用高纯石英炉管、耐温、低金属析出,满足半导体晶圆洁净要求

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可常压、低压气氛工艺,支持 N₂、Ar多种气体;既能做退火,也可兼顾氮化、薄膜致密化、应力释放等多种热处理

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具备高温报警、过流保护、过载保护等功能,部分还设有超温自动保护功能,使设备安全运行

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技术参数


名称晶圆退火炉
最高温度1200℃
工作温度≤1100℃
加热元件电阻丝
热电偶N型
炉管材质石英
炉管外径φ210mm
加热区长度900mm
控温方式PID控制和自整定调节,智能化30段可编程
温控保护超温和断偶保护功能
加热速率建议0~10°C/min
温控精度±1℃
温区数量多温区
炉膛材质高纯氧化铝耐火纤维
炉壳结构碳钢外壳,双层壳体并配有风冷系统
炉体结构开启式 
工作环境常压/真空状态/气氛状态
工作电源220/380V,50HZ( 按需求定制)
密封不锈钢真空法兰,带阀门和一个机械压力表
其他可选配置流量计,真空系统,触摸屏,远程控制,电脑显示



以上参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协议为准。

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