2025/12/23 作者:河南鸿炉机械
高温氧化炉的炉型多样,可根据结构形式和工艺应用两个维度进行分类,每种类型均具备独特优势以适应不同工艺需求:
一、按结构形式分类
特点:最通用的炉型,炉膛为箱形结构,采用电阻加热,最高温度可达1700°C
优势:保温性能优异,适合大多数实验室及小规模生产场景,尤其适用于小工件和小样品的加热、烧结等工艺。
应用:高校实验室、科研机构及小型企业,用于材料热处理、陶瓷烧结、灰化等。
特点:炉膛为圆柱形管状结构,以石英或刚玉炉管为核心加热区域,工件置于炉管内,两端采用密封法兰设计,可预抽真空并通入多种保护气体。
优势:温度均匀性高,适合小尺寸工件的高精度处理,且能实现复杂气氛控制(如氧化、还原、惰性气体保护等)。
应用:适用于小样品处理、需要精确气氛控制的工艺,常用于材料烧结、化学气相沉积(CVD)、热氧化等。
可分为水平管式炉和立式管式炉。
3. 井式炉
特点:炉膛竖直安置,炉门开在炉子上方,支持垂直方向取放样品,便于自动化操作(如配合机械手)。
优势:空间利用率高,适合长杆状或大型工件的垂直处理,且炉膛结构有利于温度均匀性控制。
应用:长轴类零件热处理、大型陶瓷部件烧结、金属材料垂直氧化等。
箱式或管式结构,配备真空系统。
可在高真空或惰性气氛下工作。
适用于航空航天、医疗材料等对氧化敏感的材料处理。
二、按工艺应用分类
1. 热氧化炉(TO)
用于VOCs废气处理,通过高温氧化分解有机物。
工作温度:600-850°C。
结构:圆筒形或方形,内衬陶瓷纤维或耐火砖。
2. 蓄热式氧化炉(RTO)
用于VOCs处理,热回收效率高达99%。
工作温度:815-1200°C。
采用陶瓷介质蓄热室回收热能。
3. 碳化硅高温氧化炉
专用于SiC MOSFET/IGBT器件的栅氧生长。
温度范围:800-1500°C。
采用高纯碳化硅炉管和双层真空密封结构。
4. 集成电路高温氧化炉
用于硅片热氧化工艺(干氧/湿氧)。
温度范围:800-1200°C。
可精确控制氧化层厚度和质量。
三、其他分类维度
按加热方式:电阻加热炉、感应加热炉。
按气氛控制:空气气氛炉、惰性气体炉、真空炉。
按温度等级:中高温炉(800-1200°C)、超高温炉(>1200°C)。
选择建议:炉型选择应根据主要工艺目标决定——通用加热选箱式炉;高纯度小样品选管式炉;防氧化处理选真空炉;VOCs处理选TO/RTO;半导体工艺则需专用立式或碳化硅氧化炉。